大会主席Jhon Shen和顾问Mutsuhiro Mori共同为陈星弼院士颁奖。
四川新闻网成都5月23日讯(记者 陈淋)日前，功率半导体领域最顶级的学术年会――第三十届国际功率半导体器件与集成电路年会(IEEE ISPSD 2018)在美国芝加哥举行。电子科技大学陈星弼院士因对超结功率半导体器件的卓越贡献入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
ISPSD首届名人堂入选者是由ISPSD委员会根据成立30年以来全球相关领域的科学家对功率半导体器件与功率集成电路做出的贡献进行评选。此次全球共有32位科学家入选。
在2015年第二十七届国际功率半导体器件与集成电路年会(IEEE ISPSD 2015)上，陈星弼院士因对高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献获得大会颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”(ISPSD 2015 Pioneer Award)，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。
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ISPSD是国际电气与电子工程师协会(IEEE)主办的不带地区色彩的高水平学术会议，是功率器件领域的顶级国际学术会议。该会每年举办一届，自1992年的第三届开始，轮流在日本(2007年为韩国)、美国(1999年为加拿大)和欧洲举办。自2015年起，中国成为该会的常任举办国之一。
(图片来自电子科技大学)
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