SHF存储器知识产权以先进工艺节点设计为目标
Marketwired 2013年12月26日加拿大安大略省渥太华消息――
领先的非易失性存储器一次性可编程（OTP）知识产权（IP）内核开发商Sidense Corp.今日宣布，其SHF非易失性存储器（NVM）宏用于台积电的28HPM和28HPL工艺节点符合严格的JEDEC加速测试要求。
28纳米HPM节点面向需要高速、低漏电的应用，适用于网络、平板电脑和移动消费产品等许多应用。28纳米HPL低功率节点最适合蜂窝基带、应用处理器、无线连接和可编程逻辑应用。
为满足JEDEC标准可靠性测试要求，每个工艺节点各有三批SHF器件经受了1000小时的高温存储（HTS）和高温运行寿命（HTOL）压力测试，未出现任何位单元失效情况。针对这两个工艺节点，在－40℃至＋125℃的读取和编程温度范围和FF、FS、SF、SS和TT工艺拐点验证了宏功能和性能。所有的宏配置都在单端冗余和双冗余读取模式下被成功编程和读取。
Sidense负责业务运营的副总裁Rhéal Gervais表示：“我们拥有专利的1T-FuseTM位单元架构能让我们把Sidense 1T-OTP宏运用于不断发展的越来越小的工艺节点技术。我们针对各种节点和工艺技术对我们的宏进行严格的特征描述和资质认证，包括JEDEC加速测试，以确保我们的客户用上高可靠性的低功率非易失性存储器。”
关于SHF
Sidense SHF一次性可编程（OTP）存储器子系统基于专利的1T-FuseTM（反熔丝型）位单元。1T-Fuse位单元利用栅氧化层击穿作为可靠的不可逆编程机制。Sidense SHF宏为高性能和大范围位密度进行了优化，适用于标准CMOS工艺，而且不需要任何额外掩模或工艺步骤。
Sidense SHF存储器智权是作为完整的非易失性存储器（NVM）子系统提供的，具备支持一系列嵌入式SoC应用的接口和功能。SHF模块整合了一次性可编程存储器和集成电源（IPS）硬宏块，以及程序控制、编程与测试接口、纠错和内建自测试（BIST）RTL。SHF的用途包括程序存储、ROM替换、安全密钥存储、配置、熔丝替换、微调和校准。
关于Sidense公司
Sidense公司提供用于标准逻辑CMOS工艺的高密度、高可靠性和高安全性的非易失性一次性可编程（OTP）逻辑非易失性存储器（LNVM）智权（IP）。公司已经获得或正在申请的专利超过115项，公司提供基于创新型单晶体管1T-FuseTM比特单元的OTP存储器IP许可，1T-Fuse的制造过程不需要额外的掩模或工艺步骤。与闪存、掩模型ROM、eFuse及其他嵌入式和芯片外NVM技术相比，Sidense 1T-OTP宏提供了一个更好的现场可编程、高可靠性和高成本效益的解决方案，适合程序储存、密钥、模拟信号调整和设备配置等多种用途。
目前已有110多家公司，包括许多无厂半导体制造商和IDM厂商，采用Sidense 1T-OTP作为350多种芯片设计的NVM解决方案。客户日益认识到，该解决方案能显著降低成本和能耗，还为从移动和消费电子设备到高温、高可靠性的汽车和工业电子设备等应用提供了更好的安全性和可靠性。该IP被提供给所有顶级半导体晶圆厂和精选的IDM厂商并得到它们的支持。Sidense总部在加拿大渥太华，并在世界各地设有销售办事处。了解更多详情，请访问：www.sidense.com 。
媒体联系方式： Susan Cain Cain Communications for Sidense 电话：408-393-4794 电子邮件：scain@caincom.com
Jim Lipman Sidense 电话：925-606-1370 电子邮件：jim@sidense.com
