据《劳动报》报道，说起王曦院士，有人说他是具有全球视野的科学家，有人说他是执行力高的实干家，也有人说他是富有情怀的领导者。近二十年来，与王曦联系最紧密的一个词，就是“SOI”，它也被称为“绝缘体上的硅”。SOI材料具有高速、低功耗、抗辐照等优点，被公认为是“二十一世纪的硅集成电路技术”。而高端硅基SOI制备中的关键技术，正是王曦钻研多年的“离子注入”。
其实早在上世纪80年代初我国就已经开始SOI技术研究，但是由于种种原因，SOI技术始终停留在论文水平，加上实验室条件比较差，10多年的研究成果被束之高阁，中国始终没有制备出可以真正投入使用的产品。
“SOI技术必须走向产业化。”王曦毅然担起了重任，率领他的团队开始技术攻关，2001年，他从科学家转型成为企业家，创建了我国唯一的SOI材料研发和生产基地―――上海新傲科技股份有限公司，解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题；2014年，为实现12英寸（300mm）半导体硅片的国产化，他又组建了国内最大的硅晶圆材料生产基地―――上海新 半导体科技有限公司；2015年，他创立了国内首家专注于硅材料产业及其生态系统发展的公司―――上海硅产业投资有限公司，同时引进了不少国际高端管理人才。
“中国正在布局天地物联网，宇宙中的辐射对卫星具有毁灭性影响，而SOI材料则能根本性解决这类问题，一劳永逸。”如今看来，16年前决心要将SOI产业化的决定是如此富有先见之明。
此外，王曦院士还带领团队在国际上独创了具有核心自主知识产权的注氧键合Simbond-SOI新技术，成功完成我国8英寸SOI材料产业化，产品出口西方发达国家，实现我国微电子材料的跨越式发展。作为上海决策咨询委员会委员、国家科技重大专项02专项技术副总师，大力推动上海一批半导体高科技重大项目，其中12英寸集成电路硅片项目有望填补我国大尺寸硅片产业空白，上海微技术工业研究院成为上海建设全球科创中心的“四梁八柱”，磁存储器（MRAM）项目将为我国参与新一代存储芯片产业全球竞争奠定基础。
