“新动能 新机遇”宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约活动在槐荫举办
济南市委副书记、市长孙述涛参加活动
为半导体产业发展特邀顾问颁发聘书
签约现场
大众网济南7月19日讯（记者 高娜）7月18日―19日，“新动能 新机遇”宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约活动在槐荫举办。记者从签约现场获悉，“大面积硅漂移探测器产业化”项目、山东大学晶体材料国家重点实验室与中创科技成果交易平台等一系列项目签约槐荫，未来还将打造以第三代宽禁带半导体及新型的超宽禁带半导体产业材料为龙头,打通、延伸产业链条,以全产业链生态系统的宽禁带半导体产业特色小镇。
山东大学晶体材料国家重点实验室等一系列大项目签约槐荫
签约现场，槐荫区委书记国承彦说，宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约活动是落实全市“深化学习苏浙粤三省经验当好走在全省前列排头兵”会议精神，落实《济南市十大千亿产业振兴计划》，深化新旧动能转换和全区产业升级的一项重要举措。槐荫区将进一步深化服务举措，优化营商环境，加大政策扶持，为宽禁带半导体产业在槐荫发展壮大创造条件。
随后，市领导为与会专家颁发“半导体产业发展特邀顾问”聘书。槐荫区人民政府与山东大学签订了科技成果转化战略合作协议，槐荫区人民政府、济南槐荫工业园区管委会、湖南正芯微电子探测器有限公司共同签订了“大面积硅漂移探测器产业化”项目合作协议，荷兰施泰克集团有限公司、济南轨道交通集团有限公司、山东天岳晶体材料有限公司签订了战略合作协议，山东大学晶体材料国家重点实验室与中创科技成果交易平台签署了科研成果转移战略合作协议。
中国科学院院士杨德仁表示：“在发展宽禁带半导体产业方面，槐荫具有良好的产业引领、优质的成果转化平台、适合的发展空间、优越的区位交通、强大的政策支持五大优势。希望通过此次活动，进一步加强同槐荫的联系合作，探索做大做强半导体产业特色小镇的有益思路，实现产学研结合，打造科技成果产业化的宽禁带半导体产业聚集区。”
计划到2030年，建成宽禁带半导体产业聚集区和产城融合型特色小镇
签约现场，济南槐荫工业园区管委会经济发展服务局局长孙永军介绍，未来，将分三个阶段推进建设宽禁带半导体产业特色小镇，小镇以第三代宽禁带半导体及新型的超宽禁带半导体产业材料为龙头,打通、延伸产业链条,构筑先进半导体材料为核心的智造组团,打造以宽禁带半导体产业为核心的生态科技城。
据介绍，该科技城拟分近期、中期、远期三个阶段推进；在近期,重点建设总占地约500亩的宽禁带半导体产业起步区，该片区主要建设宽禁带半导体研发总部,引进行业领军人才,打造国际领先的研发平台；中期,重点建设总占地约800亩的宽禁带半导体产业拓展区,依托强大的研发与成果转化能力,建设宽禁带半导体上下游产业链企业孵化基地,孵化优质项目,延伸产业链条,并积极申报国家级特色孵化基地；远期,重点建设总占地约3600亩的宽禁带半导体全产业链聚集区,按照“一轴、一带、五组团”的总体空间规划布局，一轴是绿色生态景观轴，一带是科技活力商业带，五组团为先进半导体材料智造组团、企业总部办公组团、创新创业孵化组团、科技服务中心组团、智慧社区配套组团,以宽禁带半导体产业为核心,同步建设高端人才公寓高等级医院、国际学校等配套设施,打造成为“既能发展产业,又能留得住人才”的产业集聚、特色鲜明、创新活力、配套完善的国内外知名生态科技城、宽禁带半导体产业聚集区和产城融合型特色小镇。
据了解，今年以来，槐荫区在市委市政府的正确领导下，牢牢抓住我省实施新旧动能转换重大工程的有利时机，围绕全市建设“大强美富通”的现代化省会城市目标要求，坚持“1+541”的工作部署，发挥济南槐荫工业园区实体经济发展主战场作用，举全区之力支持工业园区发展宽禁带半导体产业，在政策扶持、财力支持、土地保障等方面都给予了高度关注和倾力支持，加速推进碳化硅半导体全产业链发展，力争到2030年，建成国际领先的碳化硅半导体产业基地；带动形成基于碳化硅半导体的电力电子、微波电子、大功率半导体照明生产、应用系统为核心的千亿级产业集群；建成国际先进的（超）宽禁带半导体研发、检测和服务公共平台，获得具有完全自主知识产权的新材料、新工艺、新器件；支撑山东省新旧动能转换，培育一批掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的品牌企业。
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一、宽禁带半导体基本概念
宽禁带半导体是指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（Ga2O3）、金刚石等新一代半导体，它突破了之前半导体材料的主要指标瓶颈，性能更加优异。基于宽禁带半导体的系统，功耗大幅降低、能量转换效率大幅提高、系统体积大幅减小，同时兼具耐高温、抗高压、开关速度快、寿命长的优点，可广泛应用于国防军工、航空航天、微波通讯、轨道交通、高端装备、新能源、智能电网、家用电器、半导体照明等众多领域，并带来相关产品性能的显著提升。
二、国际国内宽禁带半导体产业发展情况
目前，宽禁带半导体在照明行业已形成千亿级产业规模，在电力电子、微波等领域已应用于军事尖端装备，但民用领域的应用才刚刚起步，规模相对较小。据国内外权威机构预测，到2025年，全球宽禁带半导体市场规模将超过2万亿元，发展空间广阔。在巨大的产业优势和光明的应用前景吸引下，世界各国尤其是发达国家，都将发展宽禁带半导体产业列入国家战略，加紧布局推动宽禁带半导体产业发展。
（一）从国际上来看。美、欧、日等加速抢占全球宽禁带半导体市场，已形成三足鼎立之势。美国在SiC领域全球独大，占有全球SiC产量的70%，拥有科锐(Cree)、二六(Ⅱ-VI)、道康宁等知名企业。2015年，美国投资1.4亿美元组建下一代电力电子制造业国家创新研究中心，推进宽禁带器件的技术创新和产业发展，全面替代硅基电力电子产业。欧洲在全球电力电子市场具有强大话语权，拥有德国英飞凌、爱思强、瑞士意法半导体、ABB等优秀半导体制造商，目前正在积极推行SiC电力电子技术应用计划和高效率电动汽车计划。日本是模块和半导体制造设备开发的绝对领先者，主要生产商有罗姆、三菱电机、新日铁、东芝等。通过“首相计划”设立新能源产业技术综合开发机构和研究所，加快材料研发、器件设计和封装模块化，促进SiC在通讯电源、混合动力汽车、可再生能源变频器、工业马达驱动等领域的应用。
（二）从国内来看。一是国家重视。国家层面对集成电路产业进行了总体布局，出台相应的支持政策，大力推进研发产业化，以改变我国集成电路过度依赖进口的局面，目前已部分解决了宽禁带半导体材料和器件制备的关键技术问题。“十三五”期间出台一系列产业相关重大文件，均明确了必须加快发展宽禁带半导体产业。二是地方政府行动迅速，争抢发展先机。北京市在顺义区设立了宽禁带半导体产业集聚区，拿出专门的土地和楼宇承载产业发展。福建省以三安光电为龙头，加快推进宽禁带半导体产业的集聚发展，计划投入500亿元，成立专门的安芯基金为宽禁带半导体产业发展提供资金支持。深圳市从解决制约宽禁带半导体研发和技术创新的关键因素着手，全额出资购买研发和检测设备，打造公共服务平台。
总的来说，国外宽禁带半导体知名大企业集团已经掌握了全产业链核心技术，实现了全产业链产品制造；国内宽禁带半导体材料和器件的研究工作起步较晚，与国外相比水平有一定差距，但在材料等核心技术上，由于山东天岳的技术突破差距已经不大，目前我国从国家到地方都在积极作为，也完全有可能在个别领域实现赶超。
三、宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约活动基本情况
2018年山东省两会上，郭建礼委员《抢抓机遇 推动我省第三代半导体产业率先发展》的讲话以及李群副省长的批示为契机，通过与省发改委、省科技厅的研讨，达成了“加紧选址建设第三代半导体产业聚集区，加快发展我省第三代半导体产业发展”的共识。随后，槐荫区积极推动槐荫工业园区半导体产业小镇建设的规划、论证。并邀请了包括中科院院士、国家千人计划、国家杰青、长江学者、装备部领导、《Journal of Semiconductors》专业期刊（半导体学报）编辑在内的十余位专家学者，于2018年7月18-19日，在济南举办参加“宽禁带半导体产业发展论坛暨战略合作签约仪式”以及“半导体产业小镇论证”的论证会。
四、济南市宽禁带半导体产业发展优势及布局
前期，槐荫区委、区政府在广泛调研、专家论证、专题研讨的基础上，拟将宽禁带半导体布局在济南槐荫工业园区（省级经济开发区），作为未来全区重点发展的新动能产业之一，重点培育扶持，以打造全国领先的宽禁带半导体产业聚集区。主要基于以下几点考虑：
一是具备良好的产业基础。工业园区内现有山东天岳晶体材料有限公司，在宽禁带半导体产业中位于全球前五名，且形成了一定的生产规模，具有良好的龙头带动和产业基础。
二是具备良好的成果转化能力。工业园区内德迈国际集团联合山东省科学院、山东大学、山东财经大学、山东建筑大学、济南大学、烟台大学、鲁东大学等共同成立了中创科技成果交易平台，将为宽禁带半导体成果提供优越的转化平台。
三是良好的人才优势。槐荫区与山东大学及晶体材料国家重点实验室具有良好的合作基础，多位晶体材料国家重点实验室教授在工业园区挂职。近期，工业园区还将聘请10余位业内院士、专家作为宽禁带半导体产业特邀顾问。
四是具备适合的发展空间。工业园区内现有1000余亩土地可作为该产业起步区，同时还有3600多亩土地空间可作为未来产业发展核心区。
五是具备良好的交通优势。工业园区内有“三高三桥一轨”构成四通八达的交通网络，有利于服务保障宽禁带半导体全产业链物流发展。
六是良好的政策支持优势。除上级政策外，槐荫区专门设立了1亿元产业扶持专项资金，工业园区也设立了3500万元配套扶持资金，重点扶持以宽禁带半导体为代表的新兴产业发展。
